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MWT-S7SN

更新时间: 2024-11-25 18:00:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 233K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE-6

MWT-S7SN 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DIE
包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N6针数:6
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.73
配置:SINGLEFET 技术:METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):0.027 pF最高频带:KU BAND
JESD-30 代码:R-XUUC-N6元件数量:1
端子数量:6工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):7 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

MWT-S7SN 数据手册

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