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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.7 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 9 V | FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最高频带： | K BAND | JESD-30 代码： | R-XQMW-F |
| 元件数量： | 1 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROWAVE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWT-PH4 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH5 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MWT-PH7 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH770 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH773 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH9 | IXYS |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Ele |
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| MWT-S7 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-S770LN | IXYS |
获取价格 |
Transistor |
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| MWT-S770SN | IXYS |
获取价格 |
Transistor |
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| MWT-S771 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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