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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | MICROWAVE, X-CXMW-F4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.78 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.03 pF |
| 最高频带： | KA BAND | JESD-30 代码： | X-CXMW-F4 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 10 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Gold (Au) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MWT-PH11 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MWT-PH15 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH15QACSB | IXYS |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Ele |
|
| MWT-PH16A | IXYS |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Ele |
|
| MWT-PH4 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH5 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
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| MWT-PH7 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH770 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| MWT-PH773 | IXYS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| MWT-PH9 | IXYS |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Ele |
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