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MWT-PH15QACSB

更新时间： 2024-11-21 21:19:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 126K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, 3 X 3 MM, QFN-12

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MWT-PH15QACSB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：3 X 3 MM, QFN-12针数：12
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.7
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (ID)：0.2 AFET 技术：HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带：X BANDJESD-30 代码：S-CQCC-N12
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：12
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

MWT-PH15QACSB 数据手册

 浏览型号MWT-PH15QACSB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MWT-PH15QACSB的Datasheet PDF文件第3页 
MwT-PH15QACSB  
12 GHz QFN Packaged Fet  
Preliminary Data Sheet  
June 2006  
Features:  
•
•
Designed for single voltage operations  
Excellent performance up to 12GHz in Frequency  
Range  
•
Typical RF Performance @ 10GHz:  
o
o
o
o
11 dB Gain  
+25 dBm P1dB  
Single Positive Bias  
QFN Package  
Description:  
Designed specifically for single voltage operations (i.e. no negative voltage is required), the MwT-PH15QACSB is a medium power  
AlGaAs/InGaAs PHEMT device in a low cost 3mm X 3mm QFN package with excellent RF performance up to 12 GHz. The chip is  
produced using reliable metal systems and all devices from each wafer are screened to insure reliability. All chips are passivated  
using MwT ‘s patented “Diamond-Like Carbon” process for increased durability.  
(1)  
Electrical Specifications : at Vdd=7V, Ids~130mA, Ta=25 °C  
PARA. & CONDITIONS  
SYMBOL  
FREQ  
UNIT  
TYP  
SSG  
Small Signal Gain  
10GHz  
dB  
11  
P1dB  
PAE  
IDS  
Output Power @ 1 dB Compression  
Power Added Efficiency  
10GHz  
10GHz  
dBm  
%
25  
35  
Current for Optimum P1dB  
mA  
140  
(1) With tuners at input and output.  
DC Specifications: at Ta= 25 °C  
SYMBOL  
PARAMETERS & CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
Drain-to-Source Current  
Vdd= 5.0V  
IDS  
mA  
130  
150  
Transconductance  
Vds=2.0 V Vgs=0.0 V  
Gm  
Rth  
mS  
130  
200  
65  
Thermal Resistance  
°C/W  
MicroWave Technology, Inc. an IXYS Company, 4268 Solar Way, Fremont, CA 94538  
510-651-6700 FAX 510-651-2208 WEB www.mwtinc.com  
Data contained herein is subject to change without notice. All rights reserved © 2006  
123

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