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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> MTP3N120E
MTP3N120E PDF预览

MTP3N120E

更新时间： 2024-09-18 22:45:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 255K
描述
TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1200 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM

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MTP3N120E 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.29
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：101 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：1860 pFJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：125 W最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：11 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：110 ns
最大开启时间（吨）：60 nsBase Number Matches：1

MTP3N120E 数据手册

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by MTP3N120E/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Device  
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate  
TMOS POWER FET  
3.0 AMPERES  
1200 VOLTS  
This advanced high–voltage TMOS E–FET is designed to  
withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.  
This new high energy device also offers a drain–to–source diode  
with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed  
switching applications such as power supplies, PWM motor  
controls, and other inductive loads, the avalanche energy capability  
is specified to eliminate the guesswork in designs where inductive  
loads are switched and offer additional safety margin against  
unexpected voltage transients.  
R
= 5.0 OHM  
DS(on)  
•
Avalanche Energy Capability Specified at Elevated  
Temperature  
•
•
Low Stored Gate Charge for Efficient Switching  
Internal Source–to–Drain Diode Designed to Replace External  
Zener Transient Suppressor Absorbs High Energy in the  
Avalanche Mode  
D
•
Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to  
Discrete Fast Recovery Diode  
G
*
See App. Note AN1327 — Very Wide Input Voltage Range;  
Off–line Flyback Switching Power Supply  
CASE 221A–06, Style 5  
TO–220AB  
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain–Source Voltage  
V
1200  
Vdc  
Vdc  
DSS  
Drain–Gate Voltage (R  
= 1.0 MΩ)  
Gate–Source Voltage — Continuous  
V
DGR  
1200  
GS  
V
± 20  
± 40  
Vdc  
Vpk  
GS  
Gate–Source Voltage — Non–Repetitive (t ≤ 50 ms)  
V
GSM  
p
Drain Current — Continuous @ 25°C  
Drain Current — Continuous @ 100°C  
I
I
3.0  
2.2  
11  
Adc  
Apk  
D
D
Drain Current — Single Pulse (t ≤ 10 µs)  
I
p
DM  
Total Power Dissipation  
Derate above 25°C  
P
D
125  
1.0  
Watts  
W/°C  
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
stg  
– 55 to 150  
101  
°C  
J
UNCLAMPED DRAIN–TO–SOURCE AVALANCHE CHARACTERISTICS (T  
150°C)  
J
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche Energy — Starting T = 25°C  
E
AS  
mJ  
J
(V  
DD  
= 100 Vdc, V = 10 Vdc, PEAK I = 4.5 Apk, L = 10 mH, R = 25 Ω)  
GS L G  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance — Junction to Case  
Thermal Resistance — Junction to Ambient  
R
R
1.0  
62.5  
°C/W  
°C  
θJC  
θJA  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
E–FET and Designer’s are trademarks of Motorola, Inc.  
TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1995  
12345678

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与MTP3N120E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MTP3N25E MOTOROLA

获取价格

 		TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 250 VOLTS RDS(on) = 1.4 OHM
MTP3N35 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
MTP3N40 FAIRCHILD

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 		N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
MTP3N40 NSC

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,3A I(D),TO-220AB
MTP3N45 MOTOROLA

获取价格

 		3A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP3N50 MOTOROLA

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 		TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
MTP3N50E MOTOROLA

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 		TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
MTP3N50E16 MOTOROLA

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 		3A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP3N50EA MOTOROLA

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 		3A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
MTP3N50EA16A MOTOROLA

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 		3A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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