是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.29 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.5 A | 最大漏源导通电阻: | 2.5 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 55 pF |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 35 W | 最大功率耗散 (Abs): | 35 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 14 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大开启时间(吨): | 102 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MTP3N60E | MOTOROLA |
获取价格 |
TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS | |
MTP3N60E | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | |
MTP3N60E16 | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 600V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP3N60EA | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTP3N60EA16A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
MTP3N60EAF | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 600V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP3N60EAJ | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 600V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP3N60EC | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 | |
MTP3N60ED1 | MOTOROLA |
获取价格 |
3A, 600V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | |
MTP3N60EL | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |