MTP3N60

更新时间： 2024-02-17 23:00:32

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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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MTP3N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	2.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	55 pF
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	35 W	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大开启时间（吨）：	102 ns	Base Number Matches：	1

MTP3N60 数据手册

MTP3N60

MTP3N60FI

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOS TRANSISTOR

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

MTP3N60

MTP3N60FI

600 V

< 2.5 Ω

3.9 A

2.5 A

■

TYPICAL R_DS(on)= 2 Ω

AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

APPLICATIONS

TO-220

ISOWATT220

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS,

MOTOR CONTROL, LIGHTING FOR

INDUSTRIAL AND CONSUMER

ENVIRONMENT

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

MTP3N60

MTP3N60FI

V_DS

V_{DG R}

V_GS

I_D

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

600

± 20

3.9

2.4

2.5

1.5

I_D

I_DM(•)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

100

0.8

W/^oC

^oC

Derating Factor

0.28

2000

V_ISO

T_stg

T_j

Insulation Withstand Voltage (DC)

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/10

November 1996

12 3 4 5 6 7...10

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