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MTP3N40

更新时间: 2024-09-19 20:17:51
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC /
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,3A I(D),TO-220AB

MTP3N40 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.81
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):75 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

MTP3N40 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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