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MTE2D8N06E3-0-UB-X

更新时间： 2024-09-19 01:21:51

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	637K
描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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Spec. No. : C008E3

Issued Date : 2018.10.11

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/ 8

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

MTE2D8N06E3

BVDSS

60V

150A

ID@VGS=10V, TC=25°C

16.3A

ID@VGS=10V, TA=25°C

RDS(ON)@VGS=10V, ID=50A

Features

2.9mΩ(typ)

 Low On Resistance

 Simple Drive Requirement

 Low Gate Charge

 Fast Switching Characteristic

 RoHS compliant package

Symbol

Outline

TO-220

MTE2D8N06E3

G：Gate D：Drain S：Source

G D S

Ordering Information

Device

Package

Shipping

TO-220

(Pb-free lead plating package)

MTE2D8N06E3-0-UB-X

50 pcs/tube, 20 tubes/box, 4 boxes / carton

Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS

compliant and green compound products

Packing spec, UB : 50 pcs / tube, 20 tubes/box

Product rank, zero for no rank products

Product name

MTE2D8N06E3

CYStek Product Specification

12 3 4 5 6 7 8

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