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MTE30N20E3

更新时间: 2024-09-19 01:21:51
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全宇昕 - CYSTEKEC /
页数 文件大小 规格书
8页 627K
描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

MTE30N20E3 数据手册

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Spec. No. : C138F3  
Issued Date : 2018.12.27  
Revised Date :  
CYStech Electronics Corp.  
Page No. : 1/8  
N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
BVDSS  
MTE30N20E3  
ID@VGS=10V, TC=25°C  
200V  
50A  
ID@VGS=10V, TA=25°C  
4.8A  
28mΩ  
RDSON(TYP)  
VGS=10V, ID=17A  
Features  
Low Gate Charge  
Simple Drive Requirement  
Pb-free lead plating package  
Symbol  
Outline  
TO-220  
MTE30N20E3  
G D S  
GGate DDrain SSource  
Ordering Information  
Device  
Shipping  
50 pcs/tube, 20 tubes/box, 4 boxes / carton  
Package  
TO-220  
(RoHS compliant)  
MTE30N20E3-0-UB-X  
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant  
and green compound products  
Packing spec, UB : 50 pcs / tube, 20 tubes/box  
Product rank, zero for no rank products  
Product name  
MTE30N20E3  
CYStek Product Specification  

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