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MTE30N15E3

更新时间： 2024-09-19 01:20:11

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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8页	437K
描述
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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MTE30N15E3 数据手册

Spec. No. : C129E3

Issued Date : 2016.02.19

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

Page No. : 1/ 8

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

BVDSS

ID@VGS=10V, TC=25°C

150V

47A

5.3A

MTE30N15E3

ID@VGS=10V, TA=25°C

RDS(ON)@VGS=10V, ID=25A

23.8 mΩ(typ)

Features

• Low On Resistance

• Simple Drive Requirement

• Low Gate Charge

• Fast Switching Characteristic

• RoHS compliant package

Symbol

Outline

TO-220

MTE30N15E3

G D S

G：Gate D：Drain S：Source

Ordering Information

Shipping

Device

Package

TO-220

(RoHS compliant)

MTE30N15E3-0-UB-X

50 pcs/tube, 20 tubes/box, 4 boxes / carton

Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant

and green compound products

Packing spec, UB : 50 pcs / tube, 20 tubes/box

Product rank, zero for no rank products

Product name

MTE30N15E3

CYStek Product Specification

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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MTE30N20E3	CYSTEKEC	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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