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MT8LSDT1664LHG-10E

更新时间: 2024-01-16 21:35:10
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 动态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 1667K
描述
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE

MT8LSDT1664LHG-10E 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SODIMM
包装说明:DIMM,针数:144
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.32风险等级:5.32
Is Samacsys:N访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XZMA-N144长度:67.585 mm
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX64
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度):235认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.8 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:31.75 mm
Base Number Matches:1

MT8LSDT1664LHG-10E 数据手册

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