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MT8LSDT1664LHG-10E

更新时间: 2024-11-17 22:16:19
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 动态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 1667K
描述
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE

MT8LSDT1664LHG-10E 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.48最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):125 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N144内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:64
湿度敏感等级:1端子数量:144
字数:16777216 words字数代码:16000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):235
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.016 A
子类别:DRAMs最大压摆率:2.16 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

MT8LSDT1664LHG-10E 数据手册

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