是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.48 | 最长访问时间: | 6 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 125 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDMA-N144 | 内存密度: | 1073741824 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
湿度敏感等级: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM144,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 最大待机电流: | 0.016 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 2.16 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MT8LSDT1664LHG-662 | MICRON |
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SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE | |
MT8LSDT3264A | MICRON |
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SYNCHRONOUS DRAM MODULE | |
MT8LSDT3264AG-10E | MICRON |
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SYNCHRONOUS DRAM MODULE | |
MT8LSDT3264AG-133 | MICRON |
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SYNCHRONOUS DRAM MODULE | |
MT8LSDT3264AG-13E | MICRON |
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SYNCHRONOUS DRAM MODULE | |
MT8LSDT3264AGI-133 | MICRON |
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SYNCHRONOUS DRAM MODULE | |
MT8LSDT3264AI | MICRON |
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SYNCHRONOUS DRAM MODULE | |
MT8LSDT432UG-10 | ETC |
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x32 SDRAM Module | |
MT8LSDT864 | MICRON |
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SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE | |
MT8LSDT864A | MICRON |
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8,16 MEG x 64 SDRAM DIMMs |