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MT8LSDT864AG-10B

更新时间: 2024-11-17 22:15:43
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 动态存储器
页数 文件大小 规格书
20页 1313K
描述
8,16 MEG x 64 SDRAM DIMMs

MT8LSDT864AG-10B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIMM, DIMM168Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):125 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N168内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:64
端子数量:168字数:8388608 words
字数代码:8000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM168
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096最大待机电流:0.016 A
子类别:DRAMs最大压摆率:1.68 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MT8LSDT864AG-10B 数据手册

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