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MT8LSDT864HG-10E

更新时间: 2024-02-13 00:20:02
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
27页 1667K
描述
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE

MT8LSDT864HG-10E 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SODIMM包装说明:DIMM,
针数:144Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.56访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XZMA-N144JESD-609代码:e0
长度:67.585 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:144字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX64封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):235
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.8 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子位置:ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:31.75 mm
Base Number Matches:1

MT8LSDT864HG-10E 数据手册

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