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MT8LSDT864HG-662

更新时间: 2024-11-17 22:16:07
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 动态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 1667K
描述
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE

MT8LSDT864HG-662 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:DIMM, DIMM144,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83最长访问时间:7.5 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDMA-N144内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:64
端子数量:144字数:8388608 words
字数代码:8000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX64
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIMM封装等效代码:DIMM144,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:31.75 mm
最大待机电流:0.024 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.36 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MT8LSDT864HG-662 数据手册

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