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MT8LSDT3264AGI-133

更新时间： 2024-11-20 22:32:47

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镁光 - MICRON		动态存储器
页数	文件大小	规格书
24页	609K
描述
SYNCHRONOUS DRAM MODULE

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MT8LSDT3264AGI-133 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
最长访问时间：	5.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDMA-N168
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	端子数量：	168
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM168	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
最大待机电流：	0.016 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.16 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MT8LSDT3264AGI-133 数据手册

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256MB / 512MB (x64)

168-PIN SDRAM DIMMs

MT8LSDT3264A(I) - 256MB

MT16LSDT6464A(I) - 512MB

For the latest data sheet, please refer to the Micron Web

site: www.micron.com/moduleds

SYNCHRONOUS

DRAM MODULE

Fe a t u re s

Fig u re 1: 168-Pin DIMM (MO–161)

• PC100- and PC133-compliant

• JEDEC-standard 168-pin, dual in-line memory

module (DIMM)

Standard

• Unbuffered

• 256MB (32 Meg x 64), 512MB (64 Meg x 64)

• Single +3.3V ±0.3V power supply

• Fully synchronous; all signals registered on positive

edge of system clock

• Internal pipelined operation; colum n address can

be changed every clock cycle

Low Profile

•

Internal SDRAM banks for hiding row access/ precharge

• Program m able burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page

• Auto Precharge, including Concurrent Auto

Precharge, and Auto Refresh Modes

• 64ms, 8,192 cycle Auto Refresh cycle

• Self Refresh Mode

• LVTTL-com patible inputs and outputs

• Serial Presence-Detect (SPD)

Ta b le 2:

Tim in g p a ra m e t e rs

OPTIONS

• Package

MARKING

PC100

CL - RCD - RP

PC133

MODULE

MARKINGS

CL - RCD - RP

Unbuffered

-13E

-133

-10E

2 - 2 - 2

3 - 3 - 3

168-pin DIMM (gold)

• Operating Tem perature Range

Commercial (0°C to +70°C)

Industrial (-40°C to +85°C)¹

• Memory Clock/ CAS Latency

(133 MHz)/ CL = 2

None

-13E

-133

-10E

Ta b le 3:

Pa rt Nu m b e rs

(133 MHz)/ CL = 3

(100 MHz)/ CL = 2

SYSTEM

PARTNUMBER¹

CONFIGURATION BUS SPEED

NOTE:

MT8LSDT3264AG-13E_

MT8LSDT3264AG(I)-133_

MT8LSDT3264AG-10E_

MT16LSDT6464AG-13E_

MT16LSDT6464AG(I)-133_

MT16LSDT6464AG-10E_

NOTE:

32 Meg x 64

64 Meg x 64

133 MHz

100 MHz

133 MHz

100 MHz

1. Consult Micron for availability; Industrial Tempera-

ture Option available in -133 speed only.

Ta b le 1:

Ad d re ss Ta b le

256MB

MODULE

512MB

MODULE

Refresh Count

Device Banks

Device Configuration

Row Addressing

Column Addressing

Module Banks

4 (BA0, BA1)

32 Meg x 8

8K (A0–A12)

1K (A0–A9)

2 (S0,S2; S1,S3)

1. The designators for component and PCB revision

are the last two characters of each part number.

Consult factory for current revision codes. Example:

MT8LSDT3264AG-133B1.

32 Meg x 8

8K (A0–A12)

1K (A0–A9)

1 (S0,S2)

32,64 Meg x 64 SDRAM DIMMs

SD8_16C32_64x64AG_C.fm - Rev. C 11/02

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...24

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