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MT8LSDT1664LHG-662

更新时间: 2024-11-17 22:16:19
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
27页 1667K
描述
SMALL-OUTLINE SDRAM MODULE

MT8LSDT1664LHG-662 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:DIMM, DIMM144,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最长访问时间:7.5 ns最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N144
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64端子数量:144
字数:16777216 words字数代码:16000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
最大待机电流:0.016 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.6 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MT8LSDT1664LHG-662 数据手册

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