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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.39 | Is Samacsys： | N |
| 基于收集器的最大容量： | 3.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-46 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 10 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 800 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF607 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| MRF607 | ADPOW |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| MRF607 | MOTOROLA |
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RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-39 |
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| MRF607 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 16V 0.33A 3-Pin TO-39 |
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| MRF616 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| MRF627 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| MRF627 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| MRF629 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| MRF63 | BEL |
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Fast Acting Radial Lead Micro Fuse Series |
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| MRF630 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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