MRF627

更新时间： 2024-11-11 22:51:07

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF627 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF627 数据手册

MRF627

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI MRF627 is Designed for

Class C, FM Land Mobile and FM

Base Applications up to 470 MHz.

PACKAGE STYLE .205 4L PILL

FEATURES:

• Common Emitter

• P_G= 13 dB at 0.5 W/470 MHz

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

0.4 A

28 V

I_C

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

12 V

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

4.0 V

.976 / 24.800

.028 / 0.700

1.00 / 25.400

.031 / 0.800

2.5 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

70 °C/W

.138 / 3.500

.106 / 2.700

.039 / 1.000

.004 / 0.100

.200 / 5.100

.139 / 3.400

.047 / 1.200

.006 / 0.150

.208 / 5.300

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 25 mA

I_C= 10 mA

I_E= 5.0 mA

V_CE= 5.0 V

4.0

BV_CES

BV_EBO

h_FE

I_C= 150 mA

P_OUT= 0.5 W

---

C_ob

V_CB= 12.5 V

V_CC= 12.5 V

f = 1.0 MHz

f = 470 MHz

4.0

P_G

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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