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MRF607

更新时间： 2024-11-11 22:51:07

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管射频微波放大器
页数	文件大小	规格书
4页	113K
描述
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

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MRF607 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.13	最大集电极电流 (IC)：	0.33 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF607 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

MRF607

RF & MICROWAVE DISCRETE

LOW POWER TRANSISTORS

Features

12.5V Silicon NPN, To-39 packaged VHF & UHF Transistor

1.75 Watt Minimum Power Output @ 12.5V, 175 MHz

11.5 minimum Gain @ 12.5V, 175 MHz

50% Efficiency @ 12.5V, 175 MHz

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

TO-39

(common collector)

DESCRIPTION:

Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. Applications include amplifier; pre-driver, driver, and

output stages.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

4.0

330

Thermal Data

3.5

Watts

mW/ ºC

Total Device Dissipation @ T = 25ºC

Derate above 25ºC

MSC1322.PDF 10-25-99

12 3 4

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