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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MPSW64RLRA
MPSW64RLRA PDF预览

MPSW64RLRA

更新时间： 2024-09-18 13:11:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 157K
描述
500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN

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MPSW64RLRA 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.49
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzBase Number Matches：1

MPSW64RLRA 数据手册

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by MPSW63/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR 3  
*Motorola Preferred Device  
BASE  
2
EMITTER 1  
MAXIMUM RATINGS  
1
2
3
MPSW63  
MPSW64  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
V
CES  
–30  
–30  
CASE 29–05, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
V
Vdc  
CBO  
EBO  
V
–10  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
–30  
—
—
Vdc  
nAdc  
nAdc  
(BR)CES  
(I = –100 µAdc, V  
C BE  
= 0)  
Collector Cutoff Current  
(V = –30 Vdc, I = 0)  
I
–100  
–100  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = –10 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
EB  
C
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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与MPSW64RLRA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSW64RLRB MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPSW64RLRE ONSEMI

获取价格

 		500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
MPSW64RLRE MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW64RLRF MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW64RLRM MOTOROLA

获取价格

 		暂无描述
MPSW64RLRM ONSEMI

获取价格

 		500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
MPSW64RLRP MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPSW64ZL1 ONSEMI

获取价格

 		500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AE, 3 PIN
MPSW64ZL1 MOTOROLA

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 		500mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW92 MOTOROLA

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 		One Watt High Voltage Transistor

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