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MPSW92RLRA PDF预览

MPSW92RLRA

更新时间： 2024-11-04 13:11:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管高压放大器
页数 文件大小 规格书
4页 87K
描述
500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN

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MPSW92RLRA 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.31Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MPSW92RLRA 数据手册

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by MPSW92/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
2
3
CASE 29–10, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AE)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–300  
–300  
–5.0  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watt  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
–300  
–300  
–5.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
V
(BR)CBO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc, I = 0)  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 µAdc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –200 Vdc, I = 0)  
I
–0.25  
–0.1  
µAdc  
µAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc, I = 0)  
E
I
—
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s, Duty Cycle  
2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1998  
1234

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MPSW92RLRA 替代型号

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