MPSW92

更新时间： 2024-09-17 22:51:11

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管高压放大器
页数	文件大小	规格书
4页	87K
描述
One Watt High Voltage Transistor(PNP Silicon)

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MPSW92 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CASE 29-10, TO-92, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-226
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MPSW92 数据手册

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by MPSW92/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

PNP Silicon

Motorola Preferred Device

COLLECTOR

BASE

EMITTER

CASE 29–10, STYLE 1

TO–92 (TO–226AE)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

–300

–5.0

Vdc

Collector Current — Continuous

–500

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.0

8.0

Watt

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

2.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

125

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = –1.0 mAdc, I = 0)

–300

–5.0

—

Vdc

(BR)CEO

(BR)CBO

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = –100 µAdc, I = 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = –100 µAdc, I = 0)

—

Vdc

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V = –200 Vdc, I = 0)

–0.25

–0.1

µAdc

CBO

Emitter Cutoff Current

(V = –3.0 Vdc, I = 0)

—

EBO

1. Pulse Test: Pulse Width

300 s, Duty Cycle

2.0%.

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

REV 1

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1998

12 3 4

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MPSW92 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KSP92BU	ONSEMI	类似代替	PNP外延硅晶体管
MPSW92RLRA	ONSEMI	类似代替	500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
MPSW92RLRAG	ONSEMI	类似代替	One Watt High Voltage Transistor

与MPSW92相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPSW92_10	ONSEMI	获取价格	One Watt High Voltage Transistor
MPSW92-18	TI	获取价格	300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSW92G	ONSEMI	获取价格	One Watt High Voltage Transistor
MPSW92-J61Z	TI	获取价格	300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3
MPSW92RL	ONSEMI	获取价格	500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN
MPSW92RL	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
MPSW92RL1	ONSEMI	获取价格	TRANSISTOR 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3
MPSW92RL1	MOTOROLA	获取价格	500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW92RLRA	MOTOROLA	获取价格	500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSW92RLRA	ONSEMI	获取价格	500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-10, TO-226AE, 3 PIN

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