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MPS651-AP-HF PDF预览

MPS651-AP-HF

更新时间： 2024-11-08 19:02:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 252K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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MPS651-AP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MPS651-AP-HF 数据手册

 浏览型号MPS651-AP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MPS651-AP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
MPS651  
Micro Commercial Components  
Features  
·
•
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Switching and Amplifier Applications  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
NPN Encapsulate  
Transistors  
·
·
Moisure Sensitivity Level 1  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
•
Marking Code:MPS651  
051  
Maximum Ratings  
TO-92  
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
A
E
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current, Continuous  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
60  
80  
5.0  
V
V
V
2
A
TJ  
TSTG  
-55 to +150  
-55 to +150  
OC  
OC  
B
Thermal Characteristics  
Symbol  
Rating  
Total Device Dissipation  
Max  
625  
Unit  
mW  
PD  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(I =10mAdc, I =0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
60  
80  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
C
B
(I =100uAdc, IE=0)  
C
D
Emitter-Base Breakdown Voltage  
5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
(I =10uAdc, IC=0)  
E
I
Collector Cutoff Current  
(VCB=80Vdc, IE=0)  
Base Cutoff Current  
(VEB=4Vdc, IC=0)  
100  
100  
nAdc  
nAdc  
CBO  
IEBO  
hFE  
E
E
B
B
C
C
DC Current Gain  
STRAIGHT LEAD BENT LEAD  
BULK PACK AMMO PACK  
G
(VCE=2.0Vdc, IC=50mAdc)  
(VCE=2.0Vdc, IC=100mAdc)  
(VCE=2.0Vdc, IC=1Adc)  
(VCE=2.0Vdc, IC=2Adc)  
75  
75  
75  
40  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=2Adc, IB=200mAdc)  
(IC=1Adc, IB=100mAdc)  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
.175  
.175  
.500  
.016  
.135  
.095  
.173  
MAX  
.185  
.185  
---  
.020  
.145  
.105  
.220  
MIN  
4.45  
4.45  
12.70  
0.41  
3.43  
2.42  
4.40  
MAX  
4.70  
4.70  
---  
0.63  
3.68  
2.67  
5.60  
NOTE  
0.5  
0.3  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
VBE(on)  
fT  
Base-Emitter saturation Voltage  
(IC=1Adc, IB=100mA)  
E
1.2  
1.0  
Vdc  
Straight Lead  
Bent Lead  
G
Base-Emitter On Voltage  
(IC=1Adc, VCE=2.0Vdc)  
* For ammo packing detailed specification, click here to visit our website  
of product packaging for details.  
Vdc  
Transition frequency  
(IC=50mAdc, VCE=5Vdc,f=100MHz)  
75  
MHz  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: D  
2013/01/01  
123

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与MPS651-AP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPS651APM CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPS651APP CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPS651G ONSEMI

获取价格

 		Amplifier Transistors
MPS651G ROCHESTER

获取价格

 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
MPS651LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO
MPS651NPN CDIL

获取价格

 		NPN/PNP SILICON PLANAR AMPLIFIER TRANSISTORS
MPS651RL ONSEMI

获取价格

 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
MPS651RL1 ONSEMI

获取价格

 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
MPS651RLRA ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
MPS651RLRA MOTOROLA

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 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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