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MPS6520 PDF预览

MPS6520

更新时间： 2024-11-09 17:01:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
3页 307K
描述
25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise

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MPS6520 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.16
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：400 MHz
Base Number Matches：1

MPS6520 数据手册

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MPS6520  
MPS6521  
www.centralsemi.com  
SILICON  
NPN TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPS6520 and  
MPS6521 are silicon NPN epitaxial transistors designed  
for complementary amplifier applications requiring  
low noise and high DC current gains. The PNP  
complementary devices are MPS6522 and MPS6523  
respectively.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-92 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
V
V
V
40  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
4.0  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
P
625  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=30V  
50  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=30V, T =60°C  
1.0  
μA  
V
CBO  
CB  
A
BV  
BV  
I =500μA  
25  
CEO  
EBO  
C
I =10μA  
4.0  
V
E
V
I =50mA, I =5.0mA  
0.5  
V
CE(SAT)  
C
B
f
f
V
=10V, I =2.0mA  
300  
400  
MHz  
MHz  
pF  
T
CE  
CE  
CB  
CE  
C
V
V
V
=10V, I =10mA  
T
C
C
=10V, I =0, f=100kHz  
3.5  
3.0  
ob  
E
NF  
=5.0V, I =10μA,  
C
R =10KΩ, BW=15.7kHz,  
S
3.0dB points @ 10Hz and 10kHz  
dB  
MPS6520  
MPS6521  
MIN MAX  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
h
V
=10V, I =100μA  
100  
-
150  
-
FE  
FE  
CE  
CE  
C
h
V
=10V, I =2.0mA  
200  
400  
300  
600  
C
R1 (11-November 2014)  
123

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MPS6520 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ZTX753STZ DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5T1,
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 		TRANSISTOR 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
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