MPS651RLRM

更新时间： 2024-09-21 04:14:47

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器晶体管
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6页	104K
描述
Amplifier Transistors

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MPS651RLRM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.16	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	75 MHz	Base Number Matches：	1

MPS651RLRM 数据手册

MPS650, MPS651, NPN

MPS750, MPS751, PNP

MPS651 and MPS751 are Preferred Devices

Amplifier Transistors

Features

• Pb−Free Packages are Available*

http://onsemi.com

MAXIMUM RATINGS

MPS650 MPS651

COLLECTOR

MPS750 MPS751

Rating

Symbol

Unit

Vdc

Adc

Collector−Emitter Voltage

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

BASE

5.0

2.0

Collector Current − Continuous

Total Power Dissipation @

EMITTER

T = 25°C

625

5.0

mW/°C

NPN

PNP

Derate above 25°C

Total Power Dissipation @

= 25°C

1.5

mW/°C

Derate above 25°C

MARKING

DIAGRAM

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

−55 to +150

°C

stg

MPS

xxx

AYWW

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

TO−92

CASE 29−11

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

200

°C/W

xxx

= Specific Device Code

= Assembly Location

= Year

Thermal Resistance,

Junction−to−Case

83.3

°C/W

= Work Week

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 5 of this data sheet.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2005

Publication Order Number:

May, 2005 − Rev. 2

MPS650/D

12 3 4 5 6

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MPS651RLRM 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MPS651	ONSEMI	完全替代	Amplifier Transistors
MPS651RLRBG	ONSEMI	类似代替	Amplifier Transistors

与MPS651RLRM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MPS651RLRMG	ONSEMI	获取价格	Amplifier Transistors
MPS651RLRMG	ROCHESTER	获取价格	2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
MPS651RLRP	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
MPS651S	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
MPS651TRB	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPS651TRE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPS651TRH	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
MPS651ZL1	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPS6520	MOTOROLA	获取价格	Amplifier Transistors
MPS6520	SAMSUNG	获取价格	NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)

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