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MPS651RLRA

更新时间： 2024-11-10 04:14:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 104K
描述
Amplifier Transistors

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MPS651RLRA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.32Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：75 MHz
Base Number Matches：1

MPS651RLRA 数据手册

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MPS650, MPS651, NPN  
MPS750, MPS751, PNP  
MPS651 and MPS751 are Preferred Devices  
Amplifier Transistors  
Features  
• Pb−Free Packages are Available*  
http://onsemi.com  
MAXIMUM RATINGS  
MPS650 MPS651  
COLLECTOR  
COLLECTOR  
MPS750 MPS751  
Rating  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
3
3
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
V
V
40  
60  
60  
80  
CE  
CB  
EB  
2
2
BASE  
BASE  
5.0  
2.0  
Collector Current − Continuous  
Total Power Dissipation @  
I
C
1
1
EMITTER  
P
P
EMITTER  
D
D
T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
NPN  
PNP  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @  
T
= 25°C  
1.5  
12  
W
mW/°C  
C
Derate above 25°C  
MARKING  
DIAGRAM  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
MPS  
xxx  
AYWW  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
TO−92  
CASE 29−11  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
200  
°C/W  
xxx  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
q
JC  
83.3  
°C/W  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
May, 2005 − Rev. 2  
MPS650/D  
123456

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MPS651RLRA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPS651RLRMG ONSEMI

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完全替代

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MPS651G ONSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		TRANSISTOR 2000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PI
MPS651RLRF MOTOROLA

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 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
MPS651RLRMG ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
MPS651RLRMG ROCHESTER

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 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN

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