MMDT2907A

更新时间： 2024-09-15 10:51:59

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美微科 - MCC		晶体放大器晶体管开关光电二极管
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3页	324K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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MMDT2907A

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

PNP General

Purpose Amplifier

•

Complementary NPN Type available MMDT2222A

Capable of 200mWatts of Pd, 600mA continuous collector current.

xꢀ Operating and Storage Junction Temperatures: -55ć to 150ć

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Marking : K2F

C₂

B₁

E₁

Pin Configuration

Top View

SOT-363

E₂

B₂

C₁

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_EBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=-10mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-10µAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=-10µAdc, I_C=0)

Emitter Cutoff Current

-60

-5.0

Vdc

-10

-50

nAdc

(V_EB=-5Vdc, _IC=0)

I_CEX

Collector Cutoff Current

(V_CE=-30Vdc, V_BE=-0.5Vdc)

Collector Cutoff Current

(V_CB=-50Vdc, I_E=0)

I_CBO

-10

nAdc

ON CHARACTERISTICS

DIMENSIONS

h_FE

DC Current Gain*

(I_C=-0.1mAdc, V_CE=-10Vdc)

(I_C=-1.0mAdc, V_CE=-10Vdc)

(I_C=-10mAdc, V_CE=-10Vdc)

(I_C=-150mAdc, V_CE=-10Vdc)

(I_C=-500mAdc, V_CE=-10Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-150mAdc, I_B=-15mAdc)

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-150mAdc, I_B=-15mAdc)

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

100

INCHES

MAX

DIM

MIN

.006

.045

.085

MIN

0.15

1.15

2.15

MAX

0.35

1.35

2.45

NOTE

.014

.053

.096

300

.026

0.65Nominal

.047

.071

---

.055

.087

.004

.043

.018

.006

1.20

1.80

1.40

2.20

0.10

1.10

0.46

0.15

V_CE(sat)

-0.4

-1.6

Vdc

---

.035

.010

.003

0.90

0.26

0.08

V_BE(sat)

-1.3

-2.6

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=-50mAdc, V_CE=-20Vdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=-10Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

Input Capacitance

200

MHz

C_cbo

C_ibo

8.0

(V_EB=-2.0Vdc, I_C=0, f=1.0MHz)

30.0

SWITCHING CHARACTERISTICS

t_d

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

(V_CC=-3.0Vdc, I_C=-150mAdc,

225

t_r

I_B1=-15mAdc)

t_s

t_f

(V_CC=-3.0Vdc, I_C=-150mAdc

I_B1=I_B2=-15mAdc)

*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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MMDT2907A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FFB2907A	ONSEMI	功能相似	PNP 多芯片通用放大器
MMDT2907A-7-F	DIODES	功能相似	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
CMKT2907A	CENTRAL	功能相似	ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL PNP SILICON TRANSISTOR

与MMDT2907A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMDT2907A_1	DIODES	获取价格	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT2907A_15	WINNERJOIN	获取价格	PNP TRANSISTOR
MMDT2907A_2	DIODES	获取价格	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT2907A-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ULTRA S
MMDT2907A-7	DIODES	获取价格	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT2907A-7-F	DIODES	获取价格	DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT2907AHE3	MCC	获取价格	Tape&Reel:3Kpcs/Reel;
MMDT2907AQ	DIODES	获取价格	Dual PNP, 60V, 0.6A, SOT363
MMDT2907AQ	PANJIT	获取价格	SOT-363
MMDT2907AQ	YANGJIE	获取价格	SOT-363

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