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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMDT2907A-TP-HF
MMDT2907A-TP-HF PDF预览

MMDT2907A-TP-HF

更新时间： 2024-11-02 13:01:23
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 324K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), PNP,

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MMDT2907A-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：50 ns
Base Number Matches：1

MMDT2907A-TP-HF 数据手册

 浏览型号MMDT2907A-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMDT2907A-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMDT2907A  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
PNP General  
Purpose Amplifier  
•
•
Complementary NPN Type available MMDT2222A  
Capable of 200mWatts of Pd, 600mA continuous collector current.  
xꢀ Operating and Storage Junction Temperatures: -55ć to 150ć  
·
·
x
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Marking : K2F  
C2  
B1  
E1  
Pin Configuration  
Top View  
SOT-363  
E2  
B2  
C1  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
G
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
C
B
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IEBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=-10mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-10µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-10µAdc, IC=0)  
Emitter Cutoff Current  
-60  
-60  
-5.0  
Vdc  
Vdc  
A
H
Vdc  
-10  
-50  
nAdc  
nAdc  
M
K
(VEB=-5Vdc, IC=0)  
J
ICEX  
Collector Cutoff Current  
(VCE=-30Vdc, VBE=-0.5Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=-50Vdc, IE=0)  
D
L
ICBO  
-10  
nAdc  
ON CHARACTERISTICS  
DIMENSIONS  
hFE  
DC Current Gain*  
(IC=-0.1mAdc, VCE=-10Vdc)  
(IC=-1.0mAdc, VCE=-10Vdc)  
(IC=-10mAdc, VCE=-10Vdc)  
(IC=-150mAdc, VCE=-10Vdc)  
(IC=-500mAdc, VCE=-10Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-150mAdc, IB=-15mAdc)  
(IC=-500mAdc, IB=-50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-150mAdc, IB=-15mAdc)  
(IC=-500mAdc, IB=-50mAdc)  
75  
100  
100  
100  
50  
INCHES  
MAX  
MM  
DIM  
A
MIN  
.006  
.045  
.085  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
.014  
.053  
.096  
B
300  
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
VCE(sat)  
-0.4  
-1.6  
Vdc  
Vdc  
---  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
VBE(sat)  
L
M
-1.3  
-2.6  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=-50mAdc, VCE=-20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=-10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
Input Capacitance  
200  
MHz  
pF  
Ccbo  
Cibo  
8.0  
(VEB=-2.0Vdc, IC=0, f=1.0MHz)  
30.0  
pF  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=-3.0Vdc, IC=-150mAdc,  
10  
40  
225  
60  
ns  
ns  
ns  
ns  
tr  
IB1=-15mAdc)  
ts  
tf  
(VCC=-3.0Vdc, IC=-150mAdc  
IB1=IB2=-15mAdc)  
*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/01/01  
123

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与MMDT2907A-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDT2907A-TPQ2 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
MMDT2907V DIODES

获取价格

 		DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT2907V MCC

获取价格

 		Tape&Reel:3Kpcs/Reel;
MMDT2907V YANGJIE

获取价格

 		SOT-563
MMDT2907V-7 DIODES

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 		DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT2907VQ DIODES

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 		PNP, 60V, 0.6A, SOT563
MMDT3104R SWST

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 		数字三极管
MMDT3904 SECOS

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 		DUAL SURFACE MOUNT NPN TRANSISTORS

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