5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMDT3904_11
MMDT3904_11 PDF预览

MMDT3904_11

更新时间： 2024-11-02 10:51:59
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 210K
描述
200mW Plastic-Encapsulate Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMDT3904_11 数据手册

 浏览型号MMDT3904_11的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
Micro Commercial Components  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
MMDT3904  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
200mW  
RoHS Compliant. See ordering information)  
•
Collector  
Current:IC=0.2A  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
-
•
•
•
·
·
Epitaxial planar die construction  
Ideal for low power amplification and switching  
Marking: K6N  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
SOT-363  
Maximum Ratings  
Symbol  
PC  
Rating  
Power dissipation (1)  
Rating  
200  
625  
Unit  
mW  
OC/W  
OC  
RTHJA  
TJ  
TSTG  
Thermal Resistance  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
G
-55 to +150  
-55 to +150  
OC  
C
B
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Max  
Symbol  
Parameter  
Min  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
A
H
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IEBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10µAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10µAdc, IC=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5Vdc, IC=0)  
40  
60  
Vdc  
Vdc  
M
K
J
5.0  
Vdc  
D
L
50  
50  
50  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
DIMENSIONS  
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, IB=0)  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
MAX  
.014  
.053  
.096  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
ICBO  
Collect Cutoff Current  
(VCB=30Vdc, IE=0)  
.006  
.045  
.085  
B
C
D
G
H
J
ON CHARACTERISTICS  
.026  
0.65Nominal  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
hFE  
DC Current Gain*  
1.80  
---  
(IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
100  
60  
300  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
L
M
0.3  
Vdc  
Vdc  
0.95  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=5.0Vdec, IE=0, f=1.0MHz)  
300  
MHz  
pF  
Cobo  
4.0  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
tr  
ts  
tf  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=3.0Vdc, VBE=0.5Vdc  
IC=10mAdc, IB1=1.0mAdc)  
(VCC=3.0Vdc, IC=10mAdc  
IB1=IB2=1.0mAdc)  
35  
35  
200  
50  
ns  
ns  
ns  
ns  
Note: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

中文翻译

下载PDF

与MMDT3904_11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMDT3904_15 UTC

获取价格

 		DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3904_2 DIODES

获取价格

 		DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3904-13 DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ULTRA S
MMDT3904-7 DIODES

获取价格

 		DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3904-7-F DIODES

获取价格

 		DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3904G-AL6-R UTC

获取价格

 		DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3904HE3 MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
MMDT3904L-AL6-R UTC

获取价格

 		DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3904Q DIODES

获取价格

 		Dual NPN, 40V, 0.2A, SOT363
MMDT3904Q YANGJIE

获取价格

 		SOT-363

与MMDT3904_11相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证