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MMDT3904V

更新时间： 2024-02-04 08:08:32
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 110K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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MMDT3904V 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 ns

MMDT3904V 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMDT3904V  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN  
•
•
Epitaxial Die Construction  
Ideal for Low Power Amplification and Switching  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
•
Ultra-small Surface Mount Package  
•
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
x Marking:KAP  
Maximum Ratings @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current-Continuous  
Collector Dissipation  
Rating  
40  
60  
Unit  
V
V
V
A
W
R/W  
R
SOT-563  
6
0.2  
0.2  
625  
PC  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
R
E
JA  
TJ  
Operating Junction Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
R
O
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified  
Symbol  
V(BR)CEO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mAdc, IB=0)  
Min  
Typ  
Max  
Units  
40  
---  
---  
Vdc  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICEX  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10uAdc, IE=0)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=60Vdc,VEB(OFF)=3Vdc)  
Base Cutoff Current  
60  
5
---  
---  
---  
---  
---  
---  
50  
50  
Vdc  
Vdc  
---  
---  
nAdc  
nAdc  
IBL  
DIMENSIONS  
(VCE=60Vdc,VEB(OFF)=3Vdc)  
INCHES  
MIN  
.006  
.043  
.061  
MM  
hFE  
DC Current Gain  
(IC=0.1mAdc, VCE=1Vdc)  
(IC=1mAdc, VCE=1Vdc)  
DIM  
A
B
C
D
G
H
K
L
M
MAX  
.011  
.049  
.067  
MIN  
0.15  
1.10  
1.55  
MAX  
0.30  
1.25  
1.70  
NOTE  
40  
70  
100  
60  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
300  
---  
(IC=10mAdc, VCE=1Vdc)  
(IC=50mAdc, VCE=1Vdc)  
(IC=100mAdc, VCE=1Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5mAdc)  
---  
.020  
0.50  
.035  
.059  
.022  
.004  
.004  
.043  
.067  
.023  
.011  
.007  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
30  
---  
VCE(sat)  
---  
---  
---  
---  
0.2  
0.3  
Vdc  
Vdc  
VBE(sat)  
0.65  
---  
---  
---  
0.85  
0.95  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2008/01/01  
1 of 5  
12345

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