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MMDT2907V-7

更新时间： 2024-11-02 02:51:15
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美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 88K
描述
DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMDT2907V-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：100 ns最大开启时间（吨）：45 ns
Base Number Matches：1

MMDT2907V-7 数据手册

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SPICE MODEL: MMDT2907V  
MMDT2907V  
Lead-free Green  
DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
Complementary NPN Type Available (MMDT2222V)  
A
Ultra-Small Surface Mount Package  
SOT-563  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
Dim Min  
Max  
0.30  
1.25  
1.70  
0.50  
1.10  
1.70  
0.60  
0.30  
0.18  
Typ  
0.25  
1.20  
1.60  
B
C
A
B
C
D
G
H
K
L
0.15  
1.10  
1.55  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
D
G
Mechanical Data  
·
Case: SOT-563, Molded Plastic  
0.90  
1.50  
0.56  
0.10  
0.10  
1.00  
1.60  
0.60  
0.20  
¾
·
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound,  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
M
K
·
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
H
L
Terminals: Finish ¾ Matte Tin annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
M
All Dimensions in mm  
·
·
·
Marking & Type Code Information: See Last Page  
Ordering Information: See Last Page  
Weight: 0.003 grams (approx.)  
C1  
B2  
E2  
E1  
B1  
C2  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-60  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
-60  
V
Emitter-Base Voltage  
-5.0  
-600  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage and Temperature Range  
mA  
°C  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 3)  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
mW  
Pd  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 3)  
833  
°C/W  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
DS30564 Rev. 4 - 2  
1 of 4  
MMDT2907V  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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MMDT2907V-7 替代型号

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