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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMKT2907A
CMKT2907A PDF预览

CMKT2907A

更新时间： 2024-11-22 22:28:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 115K
描述
ULTRAmini. SURFACE MOUNT DUAL PNP SILICON TRANSISTOR

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CMKT2907A 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.31最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：100 ns最大开启时间（吨）：45 ns

CMKT2907A 数据手册

 浏览型号CMKT2907A的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMKT2907A  
Semiconductor Corp.  
ULTRAmini™  
SURFACE MOUNT  
DESCRIPTION:  
DUAL PNP SILICON TRANSISTOR  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMUT2907A type is a Dual PNP silicon  
transistor manufactured by the epitaxial  
planar process, epoxy molded in an  
ULTRAmini™ surface mount package,  
designed for small signal general purpose  
and switching applications.  
SOT-363 CASE  
Marking Code is K07.  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
60  
60  
5.0  
600  
350  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
V
mA  
mW  
I
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX UNITS  
I
I
I
V
V
V
=50V  
10  
10  
50  
nA  
µA  
nA  
V
CBO  
CBO  
CEV  
CB  
CB  
CE  
=50V, T =125°C  
A
=30V, V =0.5V  
BE  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
h
h
I =10µA  
60  
60  
5.0  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =10µA  
V
EBO  
E
I =150mA, I =15mA  
0.4  
1.6  
1.3  
2.6  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
V
=10V, I =0.1mA  
75  
100  
100  
100  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
FE  
C
=10V, I =10mA  
FE  
C
=10V, I =150mA  
300  
FE  
C
=10V, I =500mA  
FE  
C
R0 ( 9 -October 2001)  
12

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