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CMKT5078_10 PDF预览

CMKT5078_10

更新时间： 2024-09-25 12:50:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
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2页 433K
描述
SURFACE MOUNT DUAL SILICON TRANSISTORS

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CMKT5078_10 数据手册

 浏览型号CMKT5078_10的Datasheet PDF文件第2页 
CMKT5078 NPN/PNP  
CMKT5087 PNP/PNP  
CMKT5088 NPN/NPN  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
The Central Semiconductor CMKT5078 (one each  
NPN and PNP complementary), CMKT5087 (two  
single PNP), and CMKT5088 (two single NPN) are  
combinations of transistors in a space saving  
SOT-363 ULTRAmini™ package, designed for  
applications requiring high gain and low noise.  
DUAL SILICON TRANSISTORS  
CMKT5078 MARKING CODE: K78  
CMKT5087 MARKING CODE: K87  
CMKT5088 MARKING CODE: K88  
SOT-363 CASE  
FEATURES:  
• ULTRAmini™ space saving package  
• Two NPN (5088) or Two PNP (5087)  
Transistors in a single package  
• One NPN (5088) and one PNP (5087)  
complementary Transistor in a single package  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
SYMBOL  
NPN  
35  
30  
PNP  
50  
50  
UNITS  
V
V
A
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
4.5  
3.0  
V
I
50  
350  
mA  
mW  
°C  
C
P
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN  
PNP  
MIN  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
MAX  
10  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
nA  
V
I
I
I
I
V
V
V
V
=10V  
=35V  
=20V  
=3.0V  
-
-
-
-
-
CBO  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
CB  
EB  
-
50  
50  
-
50  
-
-
-
-
-
-
BV  
BV  
BV  
I =100μA  
35  
30  
4.5  
-
50  
50  
3.0  
-
-
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
-
-
V
C
I =100μA  
-
-
0.30  
0.85  
800  
-
V
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.50  
0.80  
900  
-
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
-
-
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =0.1mA  
300  
350  
300  
50  
-
250  
250  
250  
40  
-
CE  
CE  
CE  
C
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
C
FE  
=5.0V, I =10mA  
-
-
FE  
C
f
V
=5.0V, I =500μA, f=20MHz  
-
-
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
15  
1400  
4.0  
-
ob  
CB  
E
C
V
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
-
-
pF  
ib  
BE  
C
h
V
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
350  
250  
900  
fe  
NF  
CE  
C
V
=5.0V, I =100μA, R =10kΩ,  
CE  
C
S
f=10Hz to 15.7kHz  
-
3.0  
-
2.0  
dB  
R4 (13-January 2010)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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