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MMBTRC246S

更新时间： 2023-12-06 19:43:43

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数字三极管

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MMBTRC246S 数据手册

MMBTRC241S…MMBTRC246S

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors

For high current switching, interface circuit and driver

circuit application.

Collector

(Output)

Feature

Base

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and manufacturing

process

(Input)

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

• High output current

Emitter

(Common)

Resistor Values

Type

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

MMBTRC241S

MMBTRC242S

MMBTRC243S

MMBTRC244S

MMBTRC245S

MMBTRC246S

2.2

4.7

2.2

4.7

2.2

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

V_O

Value

Unit

Output Voltage

MMBTRC241S

MMBTRC242S

MMBTRC243S

MMBTRC244S

MMBTRC245S

MMBTRC246S

10, -10

12, -10

20, -10

30, -10

10, -5

12, -6

800

Input Voltage

V_I

Output Current ¹⁾

I_O

Total Power Dissipation

P_tot

200

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

Junction Temperature

625

R_θJA

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

¹⁾tp = 1mS.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 6

Dated：05/01/2022 Rev：03

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