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MMBTRC419E

更新时间： 2024-11-03 14:52:31

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数字三极管

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MMBTRC419E 数据手册

MMBTRC416E…MMBTRC422E

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistor

Collector

(Output)

Features

• With built-in bias resistors

Base

(Input)

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Applications

• For switching, interface circuit and drive circuit applications

Resistor Values

Type

R1 (KΩ)

R2 (KΩ)

MMBTRC416E

MMBTRC417E

MMBTRC418E

MMBTRC419E

MMBTRC420E

MMBTRC421E

MMBTRC422E

2.2

4.7

100

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

V_CBO

V_CEO

MMBTRC416E

MMBTRC417E

MMBTRC418E

MMBTRC419E

MMBTRC420E

MMBTRC421E

MMBTRC422E

10, - 5

12, - 10

12, - 5

20, - 7

30, - 10

40, - 15

40, - 10

100

Emitter Base Voltage

V_EBO

Collector Current

I_C

P_tot

R_θJA

T_j

Total Power Dissipation

100

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

1250

℃/W

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 6

Dated: 31/05/2022 Rev: 02

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