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MMBTSA1015

更新时间： 2024-11-03 14:55:19

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先科 - SWST		晶体管
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5页	884K
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小信号晶体管

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MMBTSA1015 数据手册

MMBTSA1015

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

The transistor is subdivided into three groups O, Y

and G, according to its DC current gain.

1.Base 2.Emitter 3.Collecter

Applications

SOT-23 Plastic Package

• For switching and AF amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

150

Base Current

-I_B

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 65 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated : 10/01/2023 Rev:02

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