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MMBTRC403E

更新时间： 2024-11-03 14:54:07

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数字三极管

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MMBTRC403E 数据手册

MMBTRC401E…MMBTRC406E

NPN Silicon Epitaxial Planar Digital Transistors

For switching and interface circuit and drive circuit applications

Collector

(Output)

Features

Base

(Input)

• With built-in bias resistors

• Simplify circuit design

• Reduce a quantity of parts and

manufacturing process

Emitter

(Common)

Resistor Values

Type

R1 (KΩ)

4.7

R2 (KΩ)

4.7

MMBTRC401E

MMBTRC402E

MMBTRC403E

MMBTRC404E

MMBTRC405E

MMBTRC406E

2.2

4.7

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

20, -10

30, -10

40, -10

12, -5

20, -5

100

MMBTRC401E

MMBTRC402E

MMBTRC403E

MMBTRC404E

MMBTRC405E

MMBTRC406E

Emitter Base Voltage

V_EBO

Collector Current

I_C

P_tot

T_j

Total Power Dissipation

Junction Temperature

100

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

1250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 9

Dated: 08/04/2022 Rev: 03

12 3 4 5 6 7...9

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