5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA55L99Z | TI |
获取价格 |
PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| MMBTA55L-AE3-R | UTC |
获取价格 |
PNP MMBTA55 |
|
| MMBTA55L-AL3-R | UTC |
获取价格 |
PNP MMBTA55 |
|
| MMBTA55LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors(PNP Silicon) |
|
| MMBTA55LT1 | LRC |
获取价格 |
Driver Transistors(PNP Silicon) |
|
| MMBTA55LT1 | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
|
| MMBTA55LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
Driver Transistors |
|
| MMBTA55LT1/D | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors(PNP Silicon) |
|
| MMBTA55LT1D | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors(PNP Silicon) |
|
| MMBTA55LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors PNP Silicon |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
