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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA55L99Z | TI |
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PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| MMBTA55L-AE3-R | UTC |
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PNP MMBTA55 |
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| MMBTA55L-AL3-R | UTC |
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PNP MMBTA55 |
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| MMBTA55LT1 | ONSEMI |
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Driver Transistors(PNP Silicon) |
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| MMBTA55LT1 | LRC |
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Driver Transistors(PNP Silicon) |
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| MMBTA55LT1 | MCC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC |
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| MMBTA55LT1 | MOTOROLA |
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Driver Transistors |
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| MMBTA55LT1/D | ONSEMI |
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Driver Transistors(PNP Silicon) |
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| MMBTA55LT1D | ONSEMI |
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Driver Transistors(PNP Silicon) |
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| MMBTA55LT1G | ONSEMI |
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Driver Transistors PNP Silicon |
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