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MMBTA55LT1

更新时间： 2024-01-01 19:22:34

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乐山 - LRC		晶体晶体管驱动
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
Driver Transistors(PNP Silicon)

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MMBTA55LT1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

MMBTA55LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

DriverTransistors

PNP Silicon

MMBTA55LT1

MMBTA56LT1

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Value

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

MMBTA55

MMBTA56

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

–60

–80

Vdc

–4.0

–500

Vdc

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P _D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R _θJA

P _D

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R _θJA

417

T _J, T _stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

MMBTA55LT1 = 2H; MMBTA56LT1 = 2GM

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage (3)

(I _C= –1.0 mAdc, I _B= 0 )

V _(BR)CEO

Vdc

MMBTA55

MMBTA56

–60

–80

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

V _(BR)EBO

–4.0

—

Vdc

(I _E= –100 µAdc, I _C= 0 )

Collector Cutoff Current

( V _CE= –60Vdc, I _B= 0)

Collector Cutoff Current

( V _CB= –60Vdc, I _E= 0)

I _CEO

I _CBO

–0.1

µAdc

MMBTA55

MMBTA56

—

–0.1

( V _CB= –80Vdc, I _E= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width

<300 µs, Duty Cycle

<2.0%.

M29–1/2

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MMBTA55LT1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBTA55LT1G	ONSEMI	功能相似	Driver Transistors PNP Silicon
MMBTA55-TP	MCC	功能相似	PNP General Purpose Amplifier
MMBTA55-7-F	DIODES	功能相似	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与MMBTA55LT1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA55LT1/D	ONSEMI	获取价格	Driver Transistors(PNP Silicon)
MMBTA55LT1D	ONSEMI	获取价格	Driver Transistors(PNP Silicon)
MMBTA55LT1G	ONSEMI	获取价格	Driver Transistors PNP Silicon
MMBTA55LT1G_10	ONSEMI	获取价格	Driver Transistors PNP Silicon
MMBTA55LT1-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
MMBTA55LT3	ONSEMI	获取价格	Driver Transistors(PNP Silicon)
MMBTA55LT3G	ONSEMI	获取价格	Driver Transistors(PNP Silicon)
MMBTA55Q	DIODES	获取价格	PNP, 60V, 0.5A, SOT23
MMBTA55-TP	MCC	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
MMBTA55-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP,

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