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MMBTA56

更新时间: 2024-01-13 07:28:50
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KEC 晶体音频放大器晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 111K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER)

MMBTA56 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.64
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.225 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

MMBTA56 数据手册

  

MMBTA56 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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MMBTA56_10 UTC

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MMBTA56-7 DIODES

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PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBTA56-7-F DIODES

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PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
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MMBTA56-AU PANJIT

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MMBTA56D87Z TI

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MMBTA56-E6327 INFINEON

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