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MMBTA56

更新时间： 2024-09-25 04:39:27

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2页	108K
描述
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

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MMBTA56 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.6
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA56 数据手册

MMBTA55 ... MMBTA56

General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz

PNP

Version 2006-08-09

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBTA55

MMBTA56

80 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

60 V

80 V

4 V

250 mW ¹)

500 mA

100 mA

200 mA

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Base current – Basisstrom

- I_C

- I_B

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

- I_BM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- I_C= 10 mA, - V_CE= 1 V

- I_C= 100 mA, - V_CE= 1 V

h_FE

100

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

- I_C= 100 mA, - I_B= 10 mA

- V_CEsat

–

0.25 V

1.2 V

Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung

- I_C= 100 mA, - V_CE= 1 V

- V_BE

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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MMBTA56 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBTA56	DIODES	类似代替	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBTA56	VISHAY	类似代替	Small Signal Transistors (PNP)
MMBTA56LT1G	ONSEMI	功能相似	Driver Transistors PNP Silicon

与MMBTA56相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA56/E9	VISHAY	获取价格	Transistor
MMBTA56_05	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
MMBTA56_10	UTC	获取价格	AMPLIFIER TRANSISTOR
MMBTA56-7	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBTA56-7-F	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBTA56-AE3-R	UTC	获取价格	AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR
MMBTA56-AH	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBTA56-AU	PANJIT	获取价格	NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MMBTA56D87Z	TI	获取价格	500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA56-E6327	INFINEON	获取价格	Transistor

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