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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA55Q | DIODES |
获取价格 |
PNP, 60V, 0.5A, SOT23 |
|
| MMBTA55-TP | MCC |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
|
| MMBTA55-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP, |
|
| MMBTA56 | DIOTEC |
获取价格 |
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| MMBTA56 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
PNP General Purpose Transistor |
|
| MMBTA56 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistor Low collector-emitter saturation voltage |
|
| MMBTA56 | SAMSUNG |
获取价格 |
PNP (DRIVER TRANSISTOR) |
|
| MMBTA56 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Transistors (PNP) |
|
| MMBTA56 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER) |
|
| MMBTA56 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
|
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