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MMBTA56

更新时间： 2024-02-29 09:11:22

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	144K
描述
PNP General Purpose Transistor

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MMBTA56 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA56 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

PNP General Purpose Transistor

MMBTA55/A56

FEATURES

Lead-free

Epitaxial planar die construction.

Complementary NPN types available

(MMBTA05/MMBTA06)

APPLICATIONS

Ideal for medium NPN amplification and switching.

SOT-23

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

Package Code

MMBTA55

MMBTA56

2GM

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

MMBTA55

MMBTA56

-80

UNIT

V_CBO

collector-base voltage

-60

V_CEO

V_EBO

I_C

collector-emitter voltage

-60

-80

emitter-base voltage

-4

-0.5

collector current (DC)

P_C

Collector dissipation

0.35

R_θJA

T_j,T_stg

Thermal Resistance, Junction to Ambient

junction and storage temperature

357

°C/W

°C

-55-150

Document number: BL/SSSTC123

Rev.A

www.galaxycn.com

12 3

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