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MMBTA55-TP-HF

更新时间： 2024-11-20 18:15:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 251K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP,

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MMBTA55-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MMBTA55-TP-HF 数据手册

 浏览型号MMBTA55-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBTA55-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBTA55-TP-HF的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
MMBTA55  
THRU  
MMBTA56  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
This device is designed for general purpose amplifier applications at  
collector current to 300mA  
PNP General  
•
Purpose Amplifier  
•
·
Markin : MMBTA55=2H/B55, MMBTA56=2GM/B56  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
Moisure Sensitivity Level 1  
Maximum Ratings  
Symbol  
SOT-23  
Rating  
Rating  
Unit  
A
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
D
C
MMBTA55  
MMBTA56  
60  
80  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
B
C
MMBTA55  
MMBTA56  
60  
80  
V
E
B
VEBO  
IC  
TJ  
Emitter-Base Voltage  
4.0  
500  
-55 to +150  
-55 to +150  
V
F
E
Collector Current, Continuous  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
mA  
OC  
OC  
TSTG  
H
G
J
Thermal Characteristics  
Symbol  
Rating  
Max  
225  
1.8  
Unit  
K
PD  
Total Device Dissipation*  
mW  
Derate above 25OC  
mW/ OC  
DIMENSIONS  
RJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
556  
OC/W  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
NOTE  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.104  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (1)  
F
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
MMBTA55  
MMBTA56  
60  
80  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
G
H
J
.100  
1.12  
.180  
.51  
.085  
.37  
V(BR)EBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100ì Adc, IC=0)  
K
4.0  
---  
Suggested Solder  
Pad Layout  
I
Collector Cutoff Current  
CBO  
(VCB=60Vdc, I =0)  
MMBTA55  
MMBTA56  
---  
---  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
E
(VCB=80Vdc, I =0)  
E
.031  
.800  
ICES  
Emitter Cutoff Current  
(VCE=60Vdc, I =0)  
---  
0.1  
uAdc  
B
.035  
.900  
ON CHARACTERISTICS  
.079  
2.000  
hFE  
DC Current Gain  
(VCE=1.0Vdc, I =10mAdc)  
(VCE=1.0Vdc, I =100mA)  
inches  
mm  
100  
100  
---  
---  
---  
C
C
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=100mAdc, IB=10mAdc)  
Base-Emitter On Voltage  
---  
---  
50  
0.25  
1.2  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
.037  
.950  
.037  
.950  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Current-Gain—Bandwidth Product(2)  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc, f=100MHz)  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: B  
2013/01/01  
1234

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