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MMBTA20LT3

更新时间： 2024-11-25 20:53:11

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
26页	485K
描述
100mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBTA20LT3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.52	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	125 MHz	Base Number Matches：	1

MMBTA20LT3 数据手册

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

COLLECTOR

BASE

EMITTER

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Value

Unit

Vdc

4.0

100

CEO

Vdc

EBO

Collector Current — Continuous

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

mAdc

Symbol

Max

Unit

(1)

Total Device Dissipation FR–5 Board

225

= 25°C

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance Junction to Ambient

Total Device Dissipation

(2)

Alumina Substrate,

= 25°C

Derate above 25°C

2.4

417

mW/°C

°C/W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

DEVICE MARKING

T , T

J stg

–55 to +150

MMBTA20LT1 = 1C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

OFF CHARACTERISTICS

Symbol

Min

Max

Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

4.0

—

Vdc

(BR)CEO

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 100 Adc, I = 0)

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V = 30 Vdc, I = 0)

100

nAdc

CBO

1. FR–5 = 1.0

2. Alumina = 0.4

0.75 0.062 in.

0.3 0.024 in. 99.5% alumina.

2–400

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4 5 6 7...26

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