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MMBTA28

更新时间： 2024-01-31 15:51:18

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	360K
描述
TRANSISTOR(NPN)

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MMBTA28 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz
Base Number Matches：	1

MMBTA28 数据手册

MMBTA28

TRANSISTOR(NPN)

FEATURES

SOT–23

 High Current Gain

MARKING: 3SS

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

1. BASE

2. EMITTER

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

3. COLLECTOR

Collector Current

500

℃/W

℃

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

200

P_C

R_ΘJA

T_j

625

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_(BR)CBO

I_C=100µA, I_E=0

Collector-base breakdown voltage

V_CEO(sus)

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=100µA, V_BE=0

I_E=10µA, I_C=0

Collector-emitter sustain voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_CB=60V, I_E=0

0.1

0.5

0.1

µA

I_CES

V_CE=60V, V_BE=0

V_EB=10V, I_C=0

Collector cut-off current

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE=5V, I_C=10mA

V_CE=5V, I_C=100mA

I_C=10mA, I_B=0.01mA

I_C=100mA, I_B=0.1mA

V_CE=5V, I_C=100mA

V_CB=1V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=5V,I_C=10mA,

f=100MHz

DC current gain

V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

V_BE*

1.2

1.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

C_ob

Collector output capacitance

f_T

125

MHz

Transition frequency

*Pulse test: pulse width ≤300μs,duty cycle≤ 2.0%.

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBTA28/D87Z	TI	获取价格	800mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA28/S62Z	TI	获取价格	800mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA28_1	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA28_2	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBTA28-13-F	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
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MMBTA28-7	DIODES	获取价格	NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
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MMBTA28D87Z	ONSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MMBTA28L	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;