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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 基于收集器的最大容量： | 8 pF |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10000 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 125 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBTA28/S62Z | TI |
获取价格 |
800mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| MMBTA28_1 | DIODES |
获取价格 |
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
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| MMBTA28_2 | DIODES |
获取价格 |
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
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| MMBTA28-13-F | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor |
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| MMBTA28-3L | BL Galaxy Electrical |
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80V,0.5A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
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| MMBTA28-7 | DIODES |
获取价格 |
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
|
| MMBTA28-7-F | DIODES |
获取价格 |
NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
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| MMBTA28D87Z | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| MMBTA28L | MCC |
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Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn; |
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| MMBTA28L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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