Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT4403-TP-HF

MMBT4403-TP-HF

更新时间： 2024-11-18 13:11:39

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		放大器
页数	文件大小	规格书
3页	90K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBT4403-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	255 ns
最大开启时间（吨）：	35 ns	Base Number Matches：	1

MMBT4403-TP-HF 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MMBT4403

Features

Surface Mount SOT-23 Package

Capable of 350mWatts of Power Dissipation

PNP General

Purpose Amplifier

Pin Configuration

Top View

2 T

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_BL

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=1.0mAdc, I_B=0)

Vdc

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100mAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100mAdc, I_C=0)

5.0

Vdc

Base Cutoff Current

0.1

mAdc

(V_CE=30Vdc, V_BE=3.0Vdc)

Collector Cutoff Current

(V_CE=30Vdc, V_BE=3.0Vdc)

I_CEX

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

DIMENSIONS

(I_C=0.1mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=1.0mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=10mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=150mAdc, V_CE=2.0Vdc)

(I_C=500mAdc, V_CE=2.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

100

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

300

V_CE(sat)

0.4

0.75

Vdc

V_BE(sat)

0.75

200

0.95

1.30

.085

.37

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

Suggested Solder

Pad Layout

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=20mAdc, V_CE=10Vdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

Input Capacitance

(V_EB=0.5Vdc, I_C=0, f=1.0MHz)

MHz

C_cb

C_eb

.031

.800

8.5

.035

.900

30.0

SWITCHING CHARACTERISTICS

.079

2.000

inches

t_d

t_r

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

(V_CC=3.0Vdc, V_BE=2.0Vdc

I_C=150mAdc, I_B1=15mAdc)

(V_CC=3.0Vdc, I_C=150mAdc

I_B1=I_B2=15mAdc)

225

t_s

t_f

.037

.950

*Pulse Width £ 300ms, Duty Cycle£ 2.0%

.037

.950

www.mccsemi.com

12 3

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MMBT4403W	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403W	SECOS	获取价格	Switching Transistor
MMBT4403W	TYSEMI	获取价格	Switching transistor
MMBT4403W	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBT4403W	FOSHAN	获取价格	SOT-323
MMBT4403W_09	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403WT/R13	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403WT/R7	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403WT1	WILLAS	获取价格	General Purpose Transistors

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