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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT4403-TP-HF
MMBT4403-TP-HF PDF预览

MMBT4403-TP-HF

更新时间： 2024-09-17 13:11:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 90K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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MMBT4403-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

MMBT4403-TP-HF 数据手册

 浏览型号MMBT4403-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT4403-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
MMBT4403  
Features  
·
·
Surface Mount SOT-23 Package  
Capable of 350mWatts of Power Dissipation  
PNP General  
C
Purpose Amplifier  
Pin Configuration  
Top View  
2 T  
B
E
SOT-23  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
A
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
D
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IBL  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
40  
40  
Vdc  
Vdc  
B
C
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100mAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100mAdc, IC=0)  
5.0  
Vdc  
F
E
Base Cutoff Current  
0.1  
0.1  
mAdc  
mAdc  
(VCE=30Vdc, VBE=3.0Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VBE=3.0Vdc)  
ICEX  
H
G
J
ON CHARACTERISTICS  
K
hFE  
DC Current Gain*  
DIMENSIONS  
(IC=0.1mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=150mAdc, VCE=2.0Vdc)  
(IC=500mAdc, VCE=2.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=150mAdc, IB=15mAdc)  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
30  
60  
100  
100  
20  
INCHES  
MIN  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
300  
VCE(sat)  
0.4  
0.75  
Vdc  
Vdc  
F
G
H
J
VBE(sat)  
0.75  
200  
0.95  
1.30  
.085  
.37  
K
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
Suggested Solder  
Pad Layout  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=20mAdc, VCE=10Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=10Vdc, IE=0, f=1.0MHz)  
Input Capacitance  
(VEB=0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz)  
MHz  
pF  
Ccb  
Ceb  
.031  
.800  
8.5  
.035  
.900  
30.0  
pF  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
.079  
2.000  
inches  
mm  
td  
tr  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=3.0Vdc, VBE=2.0Vdc  
IC=150mAdc, IB1=15mAdc)  
(VCC=3.0Vdc, IC=150mAdc  
IB1=IB2=15mAdc)  
15  
20  
225  
30  
ns  
ns  
ns  
ns  
ts  
tf  
.037  
.950  
*Pulse Width £ 300ms, Duty Cycle£ 2.0%  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
123

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