MMBT4403-TP

更新时间： 2024-11-18 05:49:19

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美微科 - MCC		放大器
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4页	98K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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MMBT4403

Micro Commercial Components

Features

xꢀ Operating and Storage Junction Temperatures: -55ć to 150ć

•

Capable of 350mWatts of Power Dissipation

PNP General

Purpose Amplifier

xꢀ Surface Mount SOT-23 Package

xꢀ Ic=-600mA

•

Case Material:Molded Plastic. UL Flammability

Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1

Marking:2T/M3A

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_BL

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=1.0mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100µAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100µAdc, I_C=0)

Base Cutoff Current

(V_CE=30Vdc, V_BE=3.0Vdc)

Collector Cutoff Current

(V_CE=30Vdc, V_BE=3.0Vdc)

Vdc

5.0

Vdc

0.1

µAdc

I_CEX

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain*

DIMENSIONS

(I_C=0.1mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=1.0mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=10mAdc, V_CE=1.0Vdc)

(I_C=150mAdc, V_CE=2.0Vdc)

(I_C=500mAdc, V_CE=2.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=150mAdc, I_B=15mAdc)

(I_C=500mAdc, I_B=50mAdc)

100

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

300

V_CE(sat)

0.4

0.75

Vdc

V_BE(sat)

0.75

200

0.95

1.30

.085

.37

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Suggested Solder

Pad Layout

Current Gain-Bandwidth Product

(I_C=20mAdc, V_CE=10Vdc, f=100MHz)

Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

Input Capacitance

MHz

C_cb

C_eb

.031

.800

8.5

.035

.900

(V_EB=0.5Vdc, I_C=0, f=1.0MHz)

30.0

SWITCHING CHARACTERISTICS

.079

2.000

inches

t_d

t_r

t_s

t_f

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

(V_CC=3.0Vdc, V_BE=2.0Vdc

I_C=150mAdc, I_B1=15mAdc)

(V_CC=3.0Vdc, I_C=150mAdc

I_B1=I_B2=15mAdc)

225

.037

.950

*Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle≤ 2.0%

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: 5

2008/01/01

12 3 4

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MMBT4403-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KST4403MTF	ONSEMI	类似代替	PNP外延硅晶体管
MMST4403-TP	MCC	类似代替	PNP Small Signal Transistors
MMBT4403-7-F	DIODES	功能相似	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与MMBT4403-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT4403-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
MMBT4403W	KEXIN	获取价格	Switching Transistor
MMBT4403W	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403W	SECOS	获取价格	Switching Transistor
MMBT4403W	TYSEMI	获取价格	Switching transistor
MMBT4403W	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBT4403W	FOSHAN	获取价格	SOT-323
MMBT4403W_09	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403WT/R13	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT4403WT/R7	PANJIT	获取价格	PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

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